可移植人体外耳支架的3D打印关键技术

探索使用医用硅胶制作患者个体外耳支架的关键技术,使用计算机断层扫描和逆向建模技术得到对应患者个体的外耳数字模型,利用3D打印技术制造人体外耳支架模具,并使用医用硅胶MED 4735完成人体外耳支架的制作成型。动物实验验证了其生物相容性,证明了方法的可行性。通过该技术制作的硅胶人体外耳支架可以高度模仿患者特定的耳廓形状,支架精度高、制造周期短、无生物排异,可为替代肋软骨雕刻人体外耳支架进行耳廓缺损治疗提供依据。     

溶胶凝胶法制备碳化硅陶瓷的影响因素

采用溶胶凝胶法 ,以正硅酸乙酯和酚醛树脂为原料 ,在草酸催化作用下 ,制备出了不含硫和氯的均相碳化硅先驱体 ,并在一定的升温制度下制备出SiC陶瓷。考察了温度对预水解过程的影响以及水用量、催化剂和镍盐用量等因素对凝胶时间的影响。结果表明 ,在预水解温度控制在 4 0℃左右 ,时间为 2 4h时效果最佳 ;而当水与正硅酸乙酯的摩尔比达到 0 2 8左右、草酸与正硅酸乙酯的摩尔比为 0 0 1左右时 ,可以使凝胶时间达到最短。进一步的研究表明 ,镍盐的加入对凝胶烧成过程中 β -SiC的生成有催化作用。     

用B4C陶瓷先驱体涂复碳纤维研究

用溴苯和BF3乙醚为起始原料,合成出聚对亚苯基硼(PPB),高温裂解后得到含B4C 54.4%、B2O2 13.6%、自由碳32%的陶瓷.用溶液浸涂碳纤维(CF)并高温裂解后得到B4C涂层CF,与未涂层CF相比,B4C涂层CF抗热氧化性提高200°C.1800°C热压时B4C涂层CF较未涂层CF制得的CF/SiC复合材料的σb值提高10.5% ,KIC值提高19.4%,1850°C热压时相应的σb值提高31.6%,KIC提高5.8%.     

冲击波活化热压烧结氮化硅粉末

对Si3 N4粉末实现了三种不同压力的冲击波预先处理 ,而后采用三种不同的热压烧结条件制得Si3 N4陶瓷。运用SEM ,TEM ,HRTEM和XRD等手段分析了粉末和陶瓷的结构特性 ,同时测试了材料的性能。结果表明 :冲击波压力没有导致Si3 N4粉末的相变 ,TEM观察表明Si3 N4晶粒中有大量的位错及位错群 ,冲击波的作用主要是通过引入大量位错和其他缺陷促进致密化过程 ,提高陶瓷材料的机械性能。经过40GPa冲击波活化 1 80 0℃热压烧结的Si3 N4陶瓷性能最好 ,弯曲强度达 1 1 0 7.2MPa ,断裂韧性达 1 2 .2 0MPa .m1/2 。     

Si-N-C 陶瓷的组成、结构与其热稳定性…

本文研究了由聚硅氮烷(PSZ)和聚碳硅烷(PC)热解制得的三种陶瓷的组成、结构与特性。研究表明,PC热解到1250℃产生Si-C陶瓷,其结晶相是β-SiC微晶,PSZ在N_2或NH_3气氛中热解则分别产生Si-N-C与Si-N无定形陶瓷。这三种陶瓷在Ar_2气中1300℃到1500℃处理以研究其热稳定性。结果证明Si-c陶瓷从微晶变为β-SiC结晶态,Si-N陶瓷从无定形态变为α-Si_3N_4结晶并伴随着可观测到的重量损失而Si-N-C陶瓷维持其元素组成及β-SiC微晶态直到1500℃。     

硅整流发电机坦克供电系统瞬态特性的计算

采用状态变量计算硅整流发电机的工作特性是最新的研究成果.本文将这一成果开发到硅整流发电机坦克供电系统瞬态特性的研究中.实践证明,能大大节省计算工作量.文中有计算实例和与实车试验结果的对比.     

中碳钢碳化物相位的应变诱发快速球化

中碳钢中的片状共析碳化物,可在A_(c1)点之下较高的温度进行适量的变形即可在形变过程中实现球化;停止变形后继续在变形温度停留1～2小时,可使碳化物球通过奥斯瓦尔德熟化达到尺寸均匀化和粗化,同时使铁素体基体完成再结晶。     

多晶硅制绒中影响金字塔结构因素的研究

通过分析不同碱性溶液及添加不同活性剂制备出的具有不同金字塔结构的绒面,探讨了影响金字塔成核的因素。采用扫描电镜和紫外一可见分光光度计对绒面的金字塔结构和反射特性进行了分析,结果表明,腐蚀速率与金字塔尺寸成正比,金字塔结构影响绒面减反特性。对造成金字塔结构差异的原因和金字塔成核过程进行了分析。     

连续碳化硅纤维热交联工艺研究

采用热交联工艺改进传统的空气不熔化工艺,在尽可能少引入氧的情况下实现聚碳硅烷纤维的不熔化处理,降低连续SiC纤维中的氧含量。通过IR、元素分析、SEM、XRD等手段系统研究了热交联工艺条件对纤维氧含量、结构、性能的影响。     

先驱体转化致密碳化硅纳米复合材料的制备及其热电性能

以聚碳硅烷和锑改性聚硅烷为先驱体,利用先驱体转化Si C材料的富余自由碳高温石墨化的微观结构演变特点,采用热压烧结、先驱体浸渍-裂解法以及退火工艺制备出先驱体转化Si C纳米复合材料。采用SEM、TEM、XRD和Raman等测试手段表征和分析了相组成和微观结构,讨论了样品的热导率、电导率和塞贝克系数等热电参数随温度变化关系。研究表明,所得致密Si C纳米复合材料为n型热电材料。由于纳米石墨的作用,材料热导率抑制在4~8W/(m·K)范围。1600℃退火处理能够降低热导率,同时提高电导率和塞贝克系数绝对值,使先驱体转化法得到的Si C纳米复合材料无量纲热电优值ZT达到0.0028(650℃),高于其他已报道的致密Si C/C复合材料和纳米复合材料体系。